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              显示面板、显示面板的制作方法及显示装置与流程

              文档序号:29869966发布日期:2022-04-30 18:20来源:国知局
              显示面板、显示面板的制作方法及显示装置与流程

              1.本技术涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、一种显示面板的制作方法以及一种具有该显示面板的显示装置。


              背景技术:

              2.微型发光二极管(micro light emitting diode, micro led)具有亮度高、功耗低、分辨率高、寿命长、色彩饱和度高、视角广、色域广等优点,并且随着制程的成熟和价格的下降,近年来micro led相关显示面板越来越多。显示面板作为传递视觉信息的装置,其被广泛地应用在各个行业和领域中。现阶段制作显示面板的主流技术路线是将发光元件转移到相应的控制阵列基板上,实现每个发光元件的单独驱动和控制,从而达到显示效果。
              3.然而,发光元件本身具有较高的发光效率,其转移到控制阵列基板上后,由于显示面板出光侧结构的限制和全反射现象等因素,导致发光元件发出的光部分损耗在显示面板中,从而致使显示面板的出光率较低等问题。因此,如何减少发光元件的光损耗以及提高显示面板的出光率,也就成为了本领域技术人员亟待解决的问题。


              技术实现要素:

              4.鉴于上述现有技术的不足,本技术的目的在于提供一种显示面板、一种显示面板的制作方法以及一种具有该显示面板的显示装置。旨在解决现有技术中发光元件的光损耗大以及显示面板的出光率低的问题。
              5.为解决上述技术问题,本技术实施例提供了一种显示面板,所述显示面板包括依次层叠设置的底板、阵列基板以及发光组件,所述阵列基板与所述发光组件电连接。所述发光组件包括像素阻挡层、至少一个反光层、至少一个发光元件以及绝缘封装层。所述像素阻挡层位于所述阵列基板背对所述底板的一侧,所述像素阻挡层背对所述阵列基板的一侧开设有至少一个凹槽,所述反光层位于所述凹槽的内壁上,所述发光元件安装于所述凹槽内且位于所述反光层背对所述像素阻挡层的一侧,所述绝缘封装层罩设于所述凹槽上并将所述发光元件封装于所述凹槽内,所述绝缘封装层背对所述发光元件的一侧凸设有多个凸起结构,所述发光元件发出的光线以及所述反光层反射所述发光元件的部分光线从多个所述凸起结构处射出。
              6.综上所述,本技术实施例提供的显示面板包括发光组件、阵列基板以及底板,所述发光组件包括像素阻挡层、至少一个反光层、至少一个发光元件以及绝缘封装层。所述像素阻挡层背对所述阵列基板的一侧开设有至少一个凹槽,所述反光层贴合于所述凹槽的内壁上,所述发光元件安装于所述凹槽内且位于所述反光层背对所述像素阻挡层的一侧,所述绝缘封装层罩设于所述凹槽上并将所述发光元件封装于所述凹槽内,所述绝缘封装层背对所述发光元件的一侧凸设有多个凸起结构,所述发光元件与所述阵列基板电连接,所述发光元件向所述凹槽的开口端发出光线。所述像素阻挡层用于遮挡相邻的所述发光元件发出的光线,避免出现相互邻近的所述发光元件发出的光线相互干扰进而导致显示面板的显示
              效果不佳。所述反光层用于反射所述发光元件发出的光,增大了出光侧的光通量,减少了所述发光元件的光损耗以及降低了功耗。所述绝缘封装层用于绝缘和?;に龇⒐庠?,增加了所述发光元件的使用寿命。所述凸起结构用于防止所述发光元件发出的光线在所述绝缘封装层与空气界面发生全反射效应进而导致光线无法射出,进一步提高了显示面板的发光率。
              7.在示例性实施方式中,所述显示面板还包括至少一个基板电极以及电极层。所述基板电极嵌设于所述像素阻挡层内,所述基板电极分别与所述发光元件和所述阵列基板电连接,所述电极层罩设于所述凹槽的开口端且位于所述绝缘封装层背对所述凸起结构的侧面,所述电极层与所述发光元件电连接。
              8.在示例性实施方式中,所述发光元件包括发光元件本体、第一电极和第二电极。所述第一电极固设于所述发光元件本体面对所述基板电极的一侧,所述第一电极电连接所述发光元件本体与所述基板电极,所述第二电极固设于所述发光元件本体面对所述电极层的一侧,所述第二电极电连接所述发光元件本体与所述电极层。
              9.在示例性实施方式中,所述显示面板还包括键合衬垫和平坦层。所述键合衬垫设置于所述基板电极与所述第一电极之间,所述键合衬垫用于键合所述基板电极和所述第一电极,所述平坦层填充于所述反光层与所述电极层之间以及所述凹槽与所述电极层之间的空隙,所述平坦层用于固定所述发光元件。
              10.在示例性实施方式中,所述绝缘封装层和所述凸起结构的制成材料为二氧化硅,所述绝缘封装层的厚度为500nm至5000nm,所述凸起结构的厚度为250nm至2500nm。
              11.基于同样的发明构思,本技术实施例提供了一种显示装置,所述显示装置包括玻璃盖板以及上述的显示面板,所述玻璃盖板罩设在所述显示面板的出光侧,用于?;に鱿允久姘?。
              12.综上所述,本技术实施例提供的显示装置包括玻璃盖板和显示面板,所述显示面板包括发光组件、阵列基板以及底板,所述发光组件包括像素阻挡层、至少一个反光层、至少一个发光元件以及绝缘封装层。所述像素阻挡层背对所述阵列基板的一侧开设有至少一个凹槽,所述反光层贴合于所述凹槽的内壁上,所述发光元件安装于所述凹槽内且位于所述反光层背对所述像素阻挡层的一侧,所述绝缘封装层罩设于所述凹槽上并将所述发光元件封装于所述凹槽内,所述绝缘封装层背对所述发光元件的一侧凸设有多个凸起结构,所述发光元件与所述阵列基板电连接,所述发光元件向所述凹槽的开口端发出光线。所述像素阻挡层用于遮挡相邻的所述发光元件发出的光线,避免出现相互邻近的所述发光元件发出的光线相互干扰进而导致显示面板的显示效果不佳。所述反光层用于反射所述发光元件发出的光,增大了出光侧的光通量,减少了所述发光元件的光损耗以及降低了功耗。所述绝缘封装层用于绝缘和?;に龇⒐庠?,增加了所述发光元件的使用寿命。所述凸起结构用于防止所述发光元件发出的光线在所述绝缘封装层与空气界面发生全反射效应进而导致光线无法射出,进一步提高了显示面板的发光率。
              13.基于同样的发明构思,本技术实施例还提供了一种显示面板的制作方法,用于制作上述的显示面板,所述制作方法包括:提供一底板,在所述底板的一侧面上形成阵列基板;在所述阵列基板背对所述底板的侧面上形成基板电极和像素阻挡层,在所述像素阻挡层背对所述阵列基板的侧面上开设凹槽,在所述凹槽的内壁上形成反光层;在所述凹槽内
              且在所述反光层背对所述像素阻挡层的一侧安装发光元件,所述发光元件与所述基板电极电连接;在所述凹槽的开口端依次形成电极层和绝缘封装层以将所述发光元件封装于所述凹槽内。
              14.在示例性实施方式中,所述在所述阵列基板背对所述底板的侧面上形成基板电极和像素阻挡层,在所述像素阻挡层背对所述阵列基板的侧面上开设凹槽,在所述凹槽的内壁上形成反光层,包括:在所述阵列基板背对所述底板的侧面上形成至少一个所述基板电极;在所述阵列基板背对所述底板的侧面上形成遮盖所述基板电极的所述像素阻挡层;在所述像素阻挡层背对所述阵列基板的侧面上开设至少一个所述凹槽,所述基板电极露出所述凹槽;在所述凹槽的内壁上形成所述反光层,所述基板电极露出所述反光层。
              15.在示例性实施方式中,所述在所述凹槽内且在所述反光层背对所述像素阻挡层的一侧安装发光元件,所述发光元件与所述基板电极电连接,包括:在所述基板电极背对所述阵列基板的一端形成键合衬垫;在所述键合衬垫背对所述基板电极的一侧键合所述发光元件;在所述凹槽内形成平坦层以固定所述发光元件。
              16.在示例性实施方式中,所述在所述凹槽的开口端依次形成电极层和绝缘封装层以将所述发光元件封装于所述凹槽内,包括:在所述凹槽的开口端形成所述电极层以将所述发光元件罩设于所述凹槽内,所述电极层与所述发光元件电连接;在所述电极层背对所述发光元件的侧面上形成所述绝缘封装层以将所述发光元件封装于所述凹槽内;在所述绝缘封装层背对所述电极层的表面上形成多个凸起结构。
              17.综上所述,本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法包括:提供一底板,在所述底板的一侧面上形成阵列基板;在所述阵列基板背对所述底板的侧面上形成基板电极和像素阻挡层,在所述像素阻挡层背对所述阵列基板的侧面上开设凹槽,在所述凹槽的内壁上形成反光层;在所述凹槽内且在所述反光层背对所述像素阻挡层的一侧安装发光元件,所述发光元件与所述基板电极电连接;在所述凹槽的开口端依次形成电极层和绝缘封装层以将所述发光元件封装于所述凹槽内。所述反光层用于反射所述发光元件发出的光,增大出光侧的光通量,减少所述发光元件的光损耗以及降低了功耗。所述绝缘封装层用于绝缘和?;に龇⒐庠?,增加了所述发光元件的使用寿命。所述绝缘封装层背对所述电极层的侧面上设置有多个凸起结构,所述凸起结构用于防止所述发光元件发出的光在所述绝缘封装层与空气界面发生全反射效应进而导致光无法射出。
              附图说明
              18.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
              19.图1为本技术实施例公开的一种显示面板的俯视结构示意图;图2为本技术实施例公开的一种显示面板的任一像素点的截面示意图;图3为本技术实施例公开的一种显示面板的发光元件的结构示意图;图4为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法的流程示意图;图5为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s200的流程示意图;图6为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s210形成的对应结构
              示意图;图7为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s220形成的对应结构示意图;图8为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s230对应的形成流程示意图;图9为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s230形成的对应结构示意图;图10为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s240形成的对应结构示意图;图11为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s300的流程示意图;图12为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s310形成的对应结构示意图;图13为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s320形成的对应结构示意图;图14为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s330形成的对应结构示意图;图15为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s400的流程示意图;图16为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s410形成的对应结构示意图;图17为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s420形成的对应结构示意图。
              20.附图标记说明:1000-显示面板;10-像素阻挡层;11-凹槽;30-反光层;40-发光元件;41-发光元件本体;43-第一电极;45-第二电极;50-绝缘封装层;52-凸起结构;60-基板电极;70-电极层;80-键合衬垫;90-平坦层;100-发光组件;200-阵列基板;300-底板;s100-步骤100;s200-步骤200;s210-步骤210;s220-步骤220;s230-步骤230;s240-步骤240;s300-步骤300;s310-步骤310;s320-步骤320;s330-步骤330;s400-步骤400;s410-步骤410;s420-步骤420;s430-步骤430。
              具体实施方式
              21.为了便于理解本技术,下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是,本技术可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。
              22.以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本技术可用以实施的特定实施例。本文中为部件所编序号本身,例如“第一”、“第二”等,仅用于区分所描述的对象,不具有任何顺序或技术含义。而本技术所说“连接”、“联接”,如无特别说明,均包括直接和间接连接(联接)。本技术中所提到的方向用语,例如,“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等,仅是参考附加图式的方向,因此,使用的方向用语是为了更好、更清楚地说
              明及理解本技术,而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。
              23.在本技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸地连接,或者一体地连接;可以是机械连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。需要说明的是,本技术的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象,而不是用于描述特定顺序。此外,本技术中使用的术语“包括”、“可以包括”、“包含”、或“可以包含”表示公开的相应功能、操作、元件等的存在,并不限制其他的一个或多个更多功能、操作、元件等。此外,术语“包括”或“包含”表示存在说明书中公开的相应特征、数目、步骤、操作、元素、部件或其组合,而并不排除存在或添加一个或多个其他特征、数目、步骤、操作、元素、部件或其组合,意图在于覆盖不排他的包含。
              24.除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本技术。
              25.请参阅图1和图2,图1为本技术实施例公开的一种显示面板的俯视结构示意图,图2为本技术实施例公开的一种显示面板的任一像素点的截面示意图。如图1和图2所示,本技术实施例提供的显示面板1000至少可包括发光组件100、阵列基板200以及底板300,所述底板300、阵列基板200以及所述发光组件100依次层叠设置,所述阵列基板200位于所述底板300和所述发光组件100之间。所述阵列基板200分别与所述发光组件100和所述底板300固定连接,且所述阵列基板200与所述发光组件100电连接,所述阵列基板200用于控制通过所述发光组件100的电信号。
              26.在本技术实施方式中,所述发光组件100包括像素阻挡层10、至少一个反光层30、至少一个发光元件40以及绝缘封装层50。所述像素阻挡层10位于所述阵列基板200背对所述底板300的表面上,所述像素阻挡层10背对所述阵列基板200的一侧开设有至少一个凹槽11,所述反光层30位于所述凹槽11的内壁上,所述发光元件40安装于所述凹槽11内且位于所述反光层30背对所述像素阻挡层10的一侧,所述绝缘封装层50罩设于所述凹槽11上并将所述发光元件40封装于所述凹槽11内,所述绝缘封装层50背对所述发光元件40的一侧凸设有多个凸起结构52,也即为,所述绝缘封装层50罩设于所述凹槽11的开口端或所述发光组件100的出光侧(即所述凹槽11背对所述像素阻挡层10的一端)。所述发光元件40与所述阵列基板200电连接,并在工作时(即点亮时)向所述凹槽11的开口端(即所述凹槽11背对所述像素阻挡层10的一端)发出光线,所述像素阻挡层10用于遮挡相邻的所述发光元件40发出的光,所述反光层30用于反射所述发光元件40发出的部分光线,并将反射后的光线从所述凹槽11的开口端射出,所述凸起结构52用于防止所述发光元件40发出的光线在所述绝缘封装层50与空气界面发生全反射效应进而导致光线无法射出,即多个所述凸起结构52用于防止所述发光元件40发出的光线在所述凹槽11的开口端发生全发射效应进而导致光线无法射出。
              27.可以理解的是,所述像素阻挡层10背对所述阵列基板200的一侧开设有多个凹槽11,每个所述凹槽11为一个像素点。所述凹槽11的数量可根据所述显示面板1000的分辨率
              而决定,例如,分辨率为1920
              ×
              1080的显示面板的像素点个数为1920
              ×
              1080个,也即为,所述凹槽11的数量为1920
              ×
              1080个,所述发光元件40的数量为1920
              ×
              1080个,所述反光层30的数量为1920
              ×
              1080个,即所述凹槽11和所述发光元件40均呈1920
              ×
              1080矩阵排列。由于每个像素点的结构都相同,本技术实施例中选取一个像素点进行详细的介绍。
              28.在示例性实施方式中,部分所述凹槽11的底部未被所述反光层30覆盖,便于实现所述发光元件40与所述阵列基板200的电连接。
              29.在示例性实施方式中,所述凹槽11的整体形状可为半球形,即所述凹槽11整体可为半球形腔体,相应地,所述反光层30为一与所述凹槽11的内壁相对应的环面,所述反光层30可将射向其表面的光线都反射至所述绝缘封装层50(即所述凹槽11的开口端),减少了所述发光元件40的光损耗,降低了功耗。在其他实施例中,所述凹槽11的整体形状还可为矩形、圆台形以及圆锥形,本技术对此不作具体限制。在本实施例中,所述凹槽11中部位置的内壁(即所述凹槽11与所述阵列基板200距离最短的部分内壁)没有覆盖所述反光层30,便于实现所述发光元件40与所述阵列基板200的电连接。
              30.在示例性实施方式中,所述凹槽11的数量与所述反光层30和所述发光元件40的数量一致??梢岳斫獾氖?,一个所述凹槽11内安装固定有一个所述反光层30和一个发光元件40。
              31.在示例性实施方式中,所述像素阻挡层10的制成材料可为黑色正性光阻。所述反光层30可为一层薄膜,其制成材料可为金属钼或金属银。在示例性实施方式中,所述发光元件40可为微发光二极管(micro light-emitting diode,micro-led),micro-led是一种尺寸为微米级的发光二极管,由于micro-led的尺寸较小,因此其可作为显示面板1000上的像素,采用micro-led制备得到的显示面板1000可称为micro-led显示面板。micro-led显示面板具有亮度高、功耗低、分辨率高、寿命长、色彩饱和度高、视角广等优点??梢岳斫獾氖?,所述发光元件40采用micro-led,仅仅是在本实施例中的一种实施方式,在本技术其他实施例中,所述发光元件40还可为有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled),本技术对此不作具体限制。
              32.在示例性实施方式中,所述绝缘封装层50用于绝缘和?;に龇⒐庠?0,可以理解的是,所述绝缘封装层50主要是隔绝水汽、灰尘、氧气等杂物进入所述凹槽11内,?;に龇⒐庠?0,增加了所述发光元件40的使用寿命。
              33.在示例性实施方式中,多个所述凸起结构52在所述绝缘封装层50上的位置与所述凹槽11相对应。所述凸起结构52用于防止所述发光元件40发出的光在所述绝缘封装层50与空气界面发生全反射效应进而导致光无法射出。
              34.在示例性实施方式中,所述绝缘封装层50的制成材料可为二氧化硅,其厚度可为500nm至5000nm,例如,500nm、1000nm、1500nm、1300nm、2500nm、3500nm、4200nm、4800nm、5000nm、或其他数值。
              35.在示例性实施方式中,所述凸起结构52的轴向截面形状为梯形。在其他实施例中,所述凸起结构52的轴向截面形状还可为半圆形、矩形、三角形和多边形等。本技术对此不作具体限制。
              36.在示例性实施方式中,所述凸起结构52的厚度可为250nm至2500nm,例如,250nm、550nm、750nm、1000nm、1250nm、1550nm、1750nm、2200nm、2500nm、或其他数值。在本技术实施
              例中,所述凸起结构52的厚度指的是所述凸起结构52的顶部到所述绝缘封装层50背对所述发光元件40的表面之间的距离。
              37.在本技术实施例中,所述阵列基板200可为薄膜晶体管(thin film transistor,tft)控制阵列基板。
              38.综上所述,本技术实施例提供的显示面板1000包括发光组件100、阵列基板200以及底板300,所述发光组件100包括像素阻挡层10、至少一个反光层30、至少一个发光元件40以及绝缘封装层50。所述像素阻挡层10背对所述阵列基板200的一侧开设有至少一个凹槽11,所述反光层30贴合于所述凹槽11的内壁上,所述发光元件40安装于所述凹槽11内且位于所述反光层30背对所述像素阻挡层10的一侧,所述绝缘封装层50罩设于所述凹槽11上并将所述发光元件40封装于所述凹槽11内,所述绝缘封装层50背对所述发光元件40的一侧凸设有多个凸起结构52,所述发光元件40与所述阵列基板200电连接,所述阵列基板200用于控制通过所述发光元件40的电信号,所述发光元件40向所述凹槽11的开口端发出光线。所述像素阻挡层10用于遮挡相邻的所述发光元件40发出的光线,避免出现相互邻近的所述发光元件40发出的光线相互干扰进而导致显示面板1000的显示效果不佳。所述反光层30用于反射所述发光元件40发出的光,增大了出光侧的光通量,减少了所述发光元件40的光损耗以及降低了功耗。所述绝缘封装层50用于绝缘和?;に龇⒐庠?0,增加了所述发光元件40的使用寿命。所述凸起结构52用于防止所述发光元件40发出的光线在所述绝缘封装层50与空气界面发生全反射效应进而导致光线无法射出,进一步提高了显示面板的发光率。
              39.如图2所示,在本技术实施例中,所述显示面板1000还包括至少一个基板电极60以及电极层70,所述基板电极60嵌设于所述像素阻挡层10内且对应于所述发光元件40的位置,所述基板电极60与所述发光元件40和所述阵列基板200均电连接。所述电极层70罩设于所述发光元件40背对所述反光层30的一侧、所述反光层30背对所述像素阻挡层10的一侧以及所述像素阻挡层10背对所述阵列基板200的一侧,也即为,所述电极层70罩设于所述发光元件40、所述反光层30以及所述像素阻挡层10上,且位于所述绝缘封装层50背对所述凸起结构52的侧面上,即所述电极层70位于所述发光元件40和所述绝缘封装层50之间。所述基板电极60用于将所述发光元件40与所述阵列基板200电连接,所述电极层70与所述发光元件40电连接。也即为,所述发光元件40位于所述基板电极60与所述电极层70之间,且分别与所述基板电极60和所述电极层70电连接。
              40.在本技术实施方式中,所述电极层70的形状与所述绝缘封装层50背对所述凸起结构52的一侧的形状相匹配,所述电极层70背对所述发光元件40、所述反光层30以及所述像素阻挡层10的侧面与所述绝缘封装层50背对所述凸起结构52的侧面相均匀贴合??梢岳斫獾氖?,所述绝缘封装层50还用于绝缘和?;に龅缂?0,增加了所述电极层70的使用寿命。
              41.在本技术实施方式中,所述基板电极60的数量与所述凹槽11的数量一致,所述基板电极60从所述凹槽11的底部贯穿所述像素阻挡层10至所述阵列基板200,所述发光元件40在所述像素阻挡层10上的正投影与所述基板电极60重合或部分重合,便于所述发光元件40与所述基板电极60接触从而实现电连接。
              42.在示例性实施方式中,所述基板电极60可为基板阳极或基板阴极,则所述电极层70可为共阳极层或共阴极层??梢岳斫獾氖?,所述基板电极60为基板阳极,相应地,则所述
              电极层70为共阴极层;所述基板电极60为基板阴极,则所述电极层70为共阳极层。本技术对此不作具体限制。
              43.在示例性实施方式中,所述基板电极60的制成材料可由铂(pt)、金(au)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)、银(ag)、钪(sc)、钇(y)、铬(cr)、镍(ni)等金属材料中的任意一种或者多种材料制成。所述电极层70可为一层氧化铟锡的薄膜。
              44.可以理解的是,一个所述发光元件40与一个所述基板电极60电连接,实现了每个所述发光元件40的单独控制和驱动。同时,多个所述发光元件40均与同一个所述电极层70电连接,节省了显示面板1000的布局空间,同时也便于加工制作。
              45.请一并参阅图3,图3为本技术实施例公开的一种显示面板的发光元件的结构示意图。如图3所示,在本技术实施例中,所述发光元件40包括发光元件本体41以及与所述发光元件本体41电连接的第一电极43和第二电极45,所述第一电极43固设于所述发光元件本体41面对所述基板电极60的一侧,并与所述发光元件本体41电连接。所述第二电极45固设于所述发光元件本体41面对所述电极层70的一侧,并与所述发光元件本体41电连接。也即为,所述第一电极43位于所述发光元件本体41和所述基板电极60之间,且分别与所述发光元件本体41和所述基板电极60电连接,所述第二电极45位于所述发光元件本体41和所述电极层70之间,且分别与所述发光元件本体41和所述电极层70电连接。所述发光元件本体41用于发光。
              46.在本技术实施方式中,所述第一电极43可为阳极或阴极,相应地所述第二电极45可为阴极或阳极??梢岳斫獾氖?,所述基板电极60为基板阳极,则所述第一电极43为阴极,所述第二电极45为阳极;所述基板电极60为基板阴极,则所述第一电极43为阳极,所述第二电极45为阴极。
              47.在本技术实施例中,所述显示面板1000还包括键合衬垫80,所述键合衬垫80设置于所述基板电极60与所述第一电极43之间,所述键合衬垫80用于键合所述基板电极60和所述发光元件40的所述第一电极43,并用于实现所述基板电极60和所述发光元件40的所述第一电极43之间的电连接。
              48.在示例性实施方式中,所述键合衬垫80的制成材料可为金属锡或金属铟。在本技术实施方式中,以所述键合衬垫80的制成材料为金属锡进行举例说明??梢岳斫獾氖?,金属锡可为锡膏。
              49.在本技术实施例中,所述显示面板1000还包括平坦层90,所述平坦层90设置于所述反光层30与所述电极层70之间以及所述像素阻挡层10与所述电极层70之间,所述平坦层90用于填充所述反光层30与所述电极层70之间以及所述凹槽11与所述电极层70之间的空隙,并固定所述发光元件40。
              50.在示例性实施方式中,所述平坦层90的制成材料具有较好的自流性、绝缘性和透光性,其在受到光照后固化形成所述平坦层90。
              51.在示例性实施方式中,所述平坦层90遮盖所述发光元件本体41,所述第二电极45背对所述发光元件本体41的表面露出所述平坦层90,便于所述第二电极45与所述电极层70之间的电连接。
              52.在示例性实施方式中,所述第二电极45背对所述发光元件本体41的侧面与所述平坦层90背对所述反光层30的侧面齐平。
              53.基于同样的发明构思,本技术还提供一种显示装置,所述显示装置包括玻璃盖板以及上述的显示面板1000,所述玻璃盖板罩设在所述显示面板1000的出光侧,所述玻璃盖板用于?;に鱿允久姘?000。由于上述实施例中已对显示面板1000进行了较为详细的阐述,在此不再赘述。
              54.可以理解地,所述显示装置可用于包括但不限于平板电脑、笔记本电脑、台式电脑等电子设备。根据本发明的实施例,该显示装置的具体种类不受特别的限制,本领域技术人员可根据应用该显示装置的电子装置的具体的使用要求进行相应地设计,在此不再赘述。
              55.在其中一个实施例中,所述显示装置还包括驱动板、电源板、高压板、按键控制板等其他必要的部件和组成,本领域技术人员可根据该显示装置的具体类型和实际功能进行相应地补充,在此不再赘述。
              56.综上所述,本技术实施例提供的显示装置包括玻璃盖板与显示面板1000,显示面板1000包括发光组件100、阵列基板200以及底板300,所述发光组件100包括像素阻挡层10、至少一个反光层30、至少一个发光元件40以及绝缘封装层50。所述像素阻挡层10背对所述阵列基板200的一侧开设有至少一个凹槽11,所述反光层30位于所述凹槽11的内壁上,所述发光元件40安装于所述凹槽11内且位于所述反光层30背对所述像素阻挡层10的一侧,所述绝缘封装层50罩设于所述凹槽11上并将所述发光元件40封装于所述凹槽11内,所述绝缘封装层50背对所述发光元件40的一侧凸设有多个凸起结构52,所述发光元件40与所述阵列基板200电连接,所述阵列基板200用于控制通过所述发光元件40的电信号,所述发光元件40向所述凹槽11的开口端发出光线。所述像素阻挡层10用于遮挡相邻的所述发光元件40发出的光,避免出现相互邻近的所述发光元件40发出的光相互干扰进而导致显示面板1000的显示效果不佳。所述反光层30用于反射所述发光元件40发出的光,增大了出光侧的光通量,减少了所述发光元件40的光损耗以及降低了功耗。所述绝缘封装层50用于绝缘和?;に龇⒐庠?0,增加了所述发光元件40的使用寿命。所述凸起结构52用于防止所述发光元件40发出的光线在所述绝缘封装层50与空气界面发生全反射效应进而导致光线无法射出,进一步提高了显示面板的发光率。
              57.基于同样的发明构思,本技术还提供一种显示面板的制作方法,所述制作方法用于制作上述图1至图3所示的显示面板1000。在本实施例制作方法中与上述显示面板1000中重复的部分内容可以直接参看上述显示面板1000实施例中的描述,在此不再赘述。请参阅图4,图4为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法的流程示意图,如图4所示,所述显示面板的制备方法至少可以包括以下步骤。
              58.s100、提供一底板300,在所述底板300的一侧面上形成阵列基板200。
              59.具体为,所述底板300可为玻璃底板或石英底板,在所述底板300的一侧面上依次形成栅金属层、栅绝缘层、半导体层、源漏金属层、钝化层以及透明导电层,所述栅金属层、所述栅绝缘层、所述半导体层、所述源漏金属层、所述钝化层以及所述透明导电层构成了所述阵列基板200。
              60.在本技术实施方式中,所述阵列基板200可为每个像素提供独立的电流驱动。
              61.s200、在所述阵列基板200背对所述底板300的侧面上形成基板电极60和像素阻挡层10,在所述像素阻挡层10背对所述阵列基板200的侧面上开设凹槽11,在所述凹槽11的内壁上形成反光层30。
              62.s300、在所述凹槽11内且在所述反光层30背对所述像素阻挡层10的一侧安装发光元件40,所述发光元件40与所述基板电极60电连接。
              63.s400、在所述凹槽11的开口端依次形成电极层70和绝缘封装层50以将所述发光元件40封装于所述凹槽11内。
              64.请参阅图5,图5为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s200的流程示意图。如图5所示,所述步骤200至少包括以下步骤。
              65.s210、在所述阵列基板200背对所述底板300的侧面上形成至少一个基板电极60。
              66.具体为,请参阅图6,图6为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s210形成的对应结构示意图。如图6所示,通过光刻胶涂覆、利用掩模板曝光、显影、刻蚀和光刻胶去除等工艺在所述阵列基板200背对所述底板300的侧面上形成基板电极60。
              67.在本技术实施方式中,所述基板电极60的制成材料可由pt、au、al、cu、ti、ag、sc、y、cr、ni等金属材料中的任意一种或者多种材料制成。所述阵列基板200上的电流通过所述基板电极60输出至所述发光元件40。
              68.s220、在所述阵列基板200背对所述底板300的侧面上形成遮盖所述基板电极60的像素阻挡层10。
              69.具体为,请参阅图7,图7为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s220形成的对应结构示意图。如图7所示,在所述阵列基板200背对所述底板300的侧面上形成一层像素阻挡层10薄膜,所述像素阻挡层10遮盖住所述基板电极60,即所述基板电极60位于所述像素阻挡层10内。
              70.在本技术实施方式中,所述像素阻挡层10的制成材料可为黑色正性光阻。
              71.s230、在所述像素阻挡层10背对所述阵列基板200的侧面上开设至少一个凹槽11,所述基板电极60露出所述凹槽11。
              72.具体为,请参阅图8和图9,图8为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s230对应的形成流程示意图,图9为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s230形成的对应结构示意图。
              73.在本技术实施方式中,所述像素阻挡层10为黑色正性光阻,被紫外光照射的部分的化学性质会发生改变,化学性质发生改变后的所述像素阻挡层10可以被显影液去除。通过控制所述像素阻挡层10接收不同曝光剂量的紫外光照射,其被显影液去除后就会生成相应的形状。在本技术实施例中,如图8所示,通过灰阶过渡的掩膜版使所述像素阻挡层10接收不同程度的紫光照射,灰阶过渡的掩膜版中间部分的光通量最大,光通量向两侧逐渐减小。光通量越大,所述像素阻挡层10上发生化学性质变化的部分就越多,经过显影液显影后,就得到形状为半圆形的所述凹槽11。
              74.如图9所示,通过掩模板曝光、显影等工艺在所述像素阻挡层10背对所述阵列基板200的侧面上开设凹槽11,所述凹槽11的整体形状为半圆形。所述基板电极60与所述凹槽11最底部的位置相对应,所述基板电极60露出所述凹槽11,也即是说,所述基板电极60位于所述凹槽11最底部的位置(即所述凹槽11与所述阵列基板200距离最短的部分内壁),且所述基板电极60贯穿所述像素阻挡层10。
              75.在示例性实施方式中,所述凹槽11的数量为多个,每个所述凹槽11对应一个像素点,所述凹槽11的具体数量可根据显示面板1000的分辨率而决定。
              76.s240、在所述凹槽11的内壁上形成反光层30,所述基板电极60露出所述反光层30。
              77.具体为,请参阅图10,图10为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s240形成的对应结构示意图。如图10所示,在所述凹槽11的内壁上依次通过真空蒸镀、黄光制程和蚀刻制程得到图案化的所述反光层30,其中,黄光制程包括涂布、曝光和显影等工艺流程。所述凹槽11的内壁对应有所述基板电极60的区域未形成所述反光层30,也即为,所述凹槽11中部位置的内壁(即所述凹槽11与所述阵列基板200距离最短的部分内壁)没有覆盖所述反光层30,便于实现所述发光元件40与所述阵列基板200的电连接。
              78.在本技术实施方式中,所述反光层30可为一层薄膜,其制成材料可为金属钼或金属银。
              79.请参阅图11,图11为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s300的流程示意图。如图11所示,所述步骤300至少包括以下步骤。
              80.s310、在所述基板电极60背对所述阵列基板200的一端形成键合衬垫80。
              81.具体为,请参阅图12,图12为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s310形成的对应结构示意图。如图12所示,通过微针孔滴在所述基板电极60背对所述阵列基板200的一端形成所述键合衬垫80,也即为,所述键合衬垫80形成于所述基板电极60露出所述反光层30的一端。
              82.在本技术实施方式中,所述键合衬垫80的制成材料可为金属锡或金属铟。在本技术实施例中,以所述键合衬垫80的制成材料为金属锡进行举例说明??梢岳斫獾氖?,金属锡可为锡膏。
              83.s320、在所述键合衬垫80背对所述基板电极60的一侧键合所述发光元件40。
              84.具体为,请参阅图13,图13为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s320形成的对应结构示意图。如图13所示,通过巨量转移技术将所述发光元件40转移到所述凹槽11内,将所述发光元件40通过所述键合衬垫80与所述基板电极60进行键合,实现所述发光元件40与所述基板电极60的电连接。
              85.在示例性实施方式中,所述发光元件40包括发光元件本体41以及与所述发光元件本体41电连接的第一电极43和第二电极45。所述第一电极43连接于所述发光元件40面对所述键合衬垫80的一侧,所述第二电极45连接于所述发光元件40背对所述键合衬垫80的一侧。所述键合衬垫80键合所述第一电极43和所述基板电极60,实现了所述第一电极43与所述基板电极60的电连接。所述发光元件本体41用于发光。
              86.s330、在所述凹槽11内形成平坦层90以固定所述发光元件40。
              87.具体为,请参阅图14,图14为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s330形成的对应结构示意图。如图14所示,所述平坦层90的原材料具有较好的自流性。所述反光层30与所述发光元件40之间以及所述发光元件40与所述凹槽11之间的空隙填补平坦层原材料,通过光照射固化形成所述平坦层90。
              88.在本技术实施方式中,所述平坦层90覆盖所述发光元件本体41,所述第二电极45露出所述平坦层90。所述平坦层90用于填充所述反光层30与所述发光元件40之间以及所述发光元件40与所述凹槽11之间的空隙,并固定所述发光元件40??梢岳斫獾氖?,所述平坦层90具有较好的绝缘性和透光性,便于所述发光元件40发出的光可以透过所述平坦层90。
              89.在示例性实施方式中,所述第二电极45背对所述发光元件本体41的侧面与所述平
              坦层90背对所述反光层30的侧面齐平。
              90.请参阅图15,图15为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s400的流程示意图。如图15所示,所述步骤400至少包括以下步骤。
              91.s410、在所述凹槽11的开口端形成电极层70以将所述发光元件40罩设于所述凹槽11内,所述电极层70与所述发光元件40电连接。
              92.具体为,请参阅图16,图16为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s410形成的对应结构示意图。如图16所示,在所述发光元件40背对所述键合衬垫80的侧面、所述平坦层90背对所述反光层30的侧面以及所述像素阻挡层10背对所述阵列基板200的侧面上通过物理气相沉积技术沉积一层电极层70,所述电极层70与所述发光元件40的第二电极45电连接。
              93.在本技术实施方式中,所述电极层70可为一层氧化铟锡的薄膜。多个所述发光元件40均与同一个所述电极层70电连接,节省了显示面板1000的布局空间,同时也便于加工制作。
              94.s420、在所述电极层70背对所述发光元件40的侧面上形成绝缘封装层50以将所述发光元件40封装于所述凹槽11内。
              95.具体为,请参阅图17,图17为本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法中步骤s420形成的对应结构示意图。如图17所示,在所述电极层70背对所述发光元件40、所述平坦层90、所述反光层30以及所述像素阻挡层10的侧面上通过化学气相沉积方式形成一层致密的所述绝缘封装层50,也即为,所述绝缘封装层50罩设于所述电极层70上以将所述发光元件40封装于所述凹槽11内。
              96.在本技术实施方式中,所述绝缘封装层50的制成材料可为二氧化硅,其厚度可为500nm至5000nm,例如,500nm、1000nm、1500nm、1300nm、2500nm、3500nm、4200nm、4800nm、5000nm、或其他数值。所述绝缘封装层50用于绝缘和?;に龇⒐庠?0和所述电极层70,可以理解的是,所述绝缘封装层50主要是隔绝水和氧气等,?;に龇⒐庠?0和所述电极层70,增加了所述发光元件40和所述电极层70的使用寿命。
              97.s430、在所述绝缘封装层50背对所述电极层70的表面上形成多个凸起结构52。
              98.具体为,请参阅图2,在所述绝缘封装层50背对所述电极层70的表面上通过黄光制程制备多个凸起结构52,多个所述凸起结构52与所述凹槽11的位置相对应。
              99.在本技术实施方式中,所述凸起结构52的厚度可为250nm至2500nm,例如,250nm、550nm、750nm、1000nm、1250nm、1550nm、1750nm、2200nm、2500nm、或其他数值。在本技术实施例中,所述凸起结构52的厚度指的是所述凸起结构52的顶部到所述绝缘封装层50背对所述发光元件40的表面之间的距离。
              100.综上所述,本技术实施例公开的一种显示面板的制作方法包括:提供一底板300,在所述底板300的一侧面上形成阵列基板200;在所述阵列基板200背对所述底板300的侧面上形成基板电极60和像素阻挡层10,在所述像素阻挡层10背对所述阵列基板200的侧面上开设凹槽11,在所述凹槽11的内壁上形成反光层30;在所述凹槽11内且在所述反光层30背对所述像素阻挡层10的一侧安装发光元件40,所述发光元件40与所述基板电极60电连接;在所述凹槽11的开口端依次形成电极层70和绝缘封装层50以将所述发光元件40封装于所述凹槽11内。所述反光层30用于反射所述发光元件40发出的光,增大出光侧的光通量,减少
              所述发光元件40的光损耗以及降低了功耗。所述绝缘封装层50用于绝缘和?;に龇⒐庠?0,增加了所述发光元件40的使用寿命。所述绝缘封装层50背对所述电极层70的侧面上设置有多个凸起结构52,所述凸起结构52用于防止所述发光元件40发出的光在所述绝缘封装层50与空气界面发生全反射效应进而导致光无法射出。
              101.本技术中所描述的流程图仅仅为一个实施例,在不偏离本技术的精神的情况下对此图示或者本技术中的步骤可以有多种修改变化。比如,可以不同次序的执行这些步骤,或者可以增加、删除或者修改某些步骤。本领域的一般技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程,并依本技术权利要求所作的等同变化,仍属于发明所涵盖的范围。
              102.在本说明书的描述中,参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
              103.应当理解的是,本技术的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本技术所附权利要求的?;し段?。本领域的一般技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分方法,并依本技术权利要求所作的等同变化,仍属于本技术所涵盖的范围。
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