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              一种芯片基板翘曲检测方法、系统、装置及电子设备与流程

              文档序号:29869963发布日期:2022-04-30 18:20来源:国知局
              一种芯片基板翘曲检测方法、系统、装置及电子设备与流程

              1.本技术涉及芯片检测技术领域,具体而言,涉及一种芯片基板翘曲检测方法、系统、装置及电子设备。


              背景技术:

              2.近年来,芯片的大板级扇出型封装技术取得了长足的进展,大板级扇出型封装技术具有表面积小、厚度小、管脚数密度高、较低的热阻抗、电气性能优异等特点,可以实现系统级封装及3d封装的低成本制造,可更好满足终端市场对产品效能和体积的需求。在对芯片进行大板级扇出型封装的过程中,会将多个小芯片放置在芯片基板上,或者说,在芯片基板上的芯片后续会被分割成多个小芯片产品,即批量化生产,但是在芯片基板进行生产的过程中,会由于生产中对芯片的各种操作的原因导致芯片基板产生翘曲现象,翘曲是指封装器件在平面外的弯曲和变形,即,芯片基板理想状态下是完全水平的,但是会在生产过程中产生一定程度的非规律性不平整或弧度现象,进而产生局部微小凹陷或微弱凸起的现象。因塑封工艺而引起的翘曲会导致芯片封装过程中的可靠性问题,这会直接影响单批次芯片的生产良率。
              3.解决芯片大板级扇出型封装过程中的芯片翘曲问题,需要先对翘曲的芯片进行检测,目前所采用的方法为将芯片基板放置在平台上,然后采用毫米探针在不同位置进行垂直测距,这种方法虽然可以较快得知芯片基板是否有翘曲现象,但是检测全程需要人工完成,且误差也会因不同人的操作方法和平台的平整度而有较大误差,并且可能会对芯片表面产生新的损伤或刮伤。因此这种检测方法不仅效率低下,而且对检测人员的依赖性较强,其检测数据的可靠性误差也较大。
              4.针对上述问题,需要进行改进。


              技术实现要素:

              5.本技术的目的在于提供一种芯片基板翘曲检测方法、装置、系统及电子设备,具有检测效率快、检测精度高以及可靠性好的优点。
              6.第一方面,本技术提供了一种芯片基板翘曲检测方法,用于检测芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度,所述芯片基板上设置有反光片,该方法包括:在所述芯片基板上的芯片进行加工操作之后,对所述芯片基板上的所述反光片进行照射,使所述反光片产生反射光斑照射在幕布上;获取所述反射光斑的第一状态信息,所述第一状态信息至少包括所述反射光斑的第一位置信息、第一形状信息、第一亮度信息中的任意一种;获取所述芯片基板上的芯片进行加工操作之前,所述反射光斑的第二状态信息,所述第二状态信息至少包括所述反射光斑的第二位置信息、第二形状信息、第二亮度信息中的任意一种;根据所述反射光斑的第一状态信息和所述第二状态信息判断所述芯片基板的翘
              曲类型以及翘曲程度。
              7.利用光源发光照射在芯片基板上的反光片上,使反光片产生反射光斑,通过反射光斑的第一位置信息、第一形状信息以及第一亮度信息可以判断反光片的变形状态和变形程度,进而得到芯片基板的变形状态和变形程度,由此可以判断出芯片基板的翘曲类型和翘曲程度,因此具有检测效率快、检测精度高以及可靠性好的有益效果。
              8.进一步地,在本技术中,所述根据所述反射光斑的第一状态信息和所述第二状态信息判断所述芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度的步骤包括:根据所述第一位置信息与所述第二位置信息计算所述反射光斑的位置偏移量;根据所述反射光斑的位置偏移量判断所述芯片基板的翘曲类型和翘曲程度。
              9.进一步地,在本技术中,所述根据所述反射光斑的第一状态信息和所述第二状态信息判断所述芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度的步骤包括:根据所述第一位置信息获取所述幕布上被所述反射光斑照射位置的第一温度信息;根据所述第二位置信息获取所述幕布上被所述反射光斑照射位置的第二温度信息;根据所述第一温度信息与所述第二温度信息判断所述芯片基板的翘曲类型和翘曲程度。
              10.进一步地,在本技术中,还包括:在对所述芯片基板加工操作之前,对所述芯片基板上的所述反光片进行照射以产生所述反射光斑,并获取所述反射光斑的所述第二状态信息。
              11.进一步地,在本技术中,还包括:在获取所述第一状态信息后,根据所述第二位置信息获取所述芯片基板上的芯片进行加工操作之前所述反射光斑照射在所述幕布上的位置的状态;根据所述芯片基板上的芯片进行加工操作之前所述反射光斑照射在所述幕布上的位置的状态判断所述芯片基板是否发生翘曲。
              12.进一步地,在本技术中,所述根据所述芯片基板上的芯片进行加工操作之前所述反射光斑照射在所述幕布上的位置的状态判断所述芯片基板是否发生翘曲的步骤包括:获取所述芯片基板上的芯片进行加工操作之前所述反射光斑照射在所述幕布上的位置的亮度和/或温度;根据所述芯片基板上的芯片进行加工操作之前所述反射光斑照射在所述幕布上的位置的亮度和/或温度判断所述芯片基板是否发生翘曲。
              13.第二方面,本技术还提供一种芯片基板翘曲检测系统,用于检测芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度,所述芯片基板上设置有反光片,该系统包括:光源,用于发出光线照射所述反光片;幕布,用于接收并显示所述反光片在所述光源照射下形成的反射光斑;摄像头,用于拍摄所述幕布上显示的所述反射光斑;处理中心,用于在所述芯片基板上的芯片进行加工操作之后,控制所述光源对所述芯片基板上的所述反光片进行照射,使所述反光片产生反射光斑照射在幕布上,还用于获取所述摄像头拍摄所述幕布上显示的所述反射光斑的第一图像以及第二图像,并根据所
              述第一图像以及第二图像判断所述芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度。
              14.进一步地,在本技术中,所述第一图像包括所述反射光斑的第一位置信息、第一形状信息、第一亮度信息中的任意一种;所述第二图像包括所述反射光斑的第二位置信息、第二形状信息、第二亮度信息中的任意一种。
              15.第三方面,本技术还提供一种芯片基板翘曲检测装置,用于检测芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度,所述芯片基板上设置有反光片,该装置包括:控制???,用于在所述芯片基板上的芯片进行加工操作之后,对所述芯片基板上的所述反光片进行照射,使所述反光片产生反射光斑照射在幕布上;第一获取???,用于获取所述反射光斑的第一状态信息,所述第一状态信息至少包括所述反射光斑的第一位置信息、第一形状信息、第一亮度信息中的任意一种;第二获取???,用于获取所述芯片基板上的芯片进行加工操作之前,所述反射光斑的第二状态信息,所述第二状态信息至少包括所述反射光斑的第二位置信息、第二形状信息、第二亮度信息中的任意一种;判断???,用于根据所述反射光斑的第一状态信息和所述第二状态信息判断所述芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度。
              16.第四方面,本技术还提供一种电子设备,包括处理器以及存储器,所述存储器存储有计算机可读取指令,当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时,运行如上任一项所述方法中的步骤。
              17.由上可知,本技术提供的一种芯片基板翘曲检测方法、装置、系统及电子设备,利用光源发光照射在芯片基板上的反光片上,使反光片产生反射光斑,通过反射光斑的第一位置信息、第一形状信息以及第一亮度信息可以判断反光片的变形状态和变形程度,进而得到芯片基板的变形状态和变形程度,由此可以判断出芯片基板的翘曲类型和翘曲程度,因此具有检测效率快、检测精度高以及可靠性好的有益效果。
              18.本技术的其他特征和优点将在随后的说明书阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本技术了解。本技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
              附图说明
              19.图1为本技术提供的一种芯片基板翘曲检测方法流程图。
              20.图2为本技术提供的一种芯片基板翘曲检测系统结构示意图。
              21.图3为芯片基板发生外凸型翘曲的示意图。
              22.图4为本技术提供的芯片基板结构。
              23.图5为本技术提供的一种芯片基板翘曲检测装置结构示意图。
              24.图6为本技术提供的一种电子设备示意图。
              25.图中:100、光源;200、幕布;300、摄像头;400、处理中心;500、芯片基板;600、芯片;700、反光片;800、反射光斑;910、控制???;920、第一获取???;930、第二获取???;940、判断???;1100、处理器;1200、存储器。
              具体实施方式
              26.下面将结合本技术中附图,对本技术中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求?;さ谋炯际醯姆段?,而是仅仅表示本技术的选定实施例?;诒炯际醯氖凳├?,本领域技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术?;さ姆段?。
              27.应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时,在本技术的描述中,术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
              28.通常,位于芯片基板上的芯片需要进行多道生产工序,在这些生产工序中,很多环节都有可能导致芯片基板发生翘曲,其中,最主要的原因是由于各种材料之间的热膨胀系数不匹配产生的,例如铜、塑封料、芯片等材料的热膨胀系数相差太大的话,就会使得局部应力差异大,因此在进行相关的工序加工操作后,就有可能出现翘曲的现象,其中,最主要便集中在芯片的压膜工序中,在芯片基板上的芯片需要经过多道压膜工序,因为需要在芯片上经过多次光刻,因此,需要进行多次的光刻-压膜以及abf-压膜的工序,而如果在其中某个工序操作中使芯片基板发生了翘曲,而后续的光刻等工序仍然按照原来的位置进行光刻,则会导致光刻或其它相关操作的位置出现偏差,进而使芯片报废。
              29.对此,请参照图1,一种芯片基板翘曲检测方法,用于检测芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度,芯片基板上设置有反光片,该方法包括:s110、在芯片基板上的芯片进行加工操作之后,对芯片基板上的反光片进行照射,使反光片产生反射光斑照射在幕布上;s120、获取反射光斑的第一状态信息,第一状态信息至少包括反射光斑的第一位置信息、第一形状信息、第一亮度信息中的任意一种;s130、获取芯片基板上的芯片进行加工操作之前,反射光斑的第二状态信息,第二状态信息至少包括反射光斑的第二位置信息、第二形状信息、第二亮度信息中的任意一种;s140、根据反射光斑的第一状态信息和第二状态信息判断芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度。
              30.其中,在对芯片基板上的反光片进行照射时,使用光源进行发光,光源可以采用常规的照明灯,照明灯发出的光照射在整个芯片基板上,也可以采用激光发射器进行照明,激光发射器发射光束照射在反光片上,使反光片产生反射光斑,这里的反光片产生反射光斑指的是反光片将入射光反射从而形成反射光斑。
              31.其中,反光片贴合在芯片基板上,并且反光片采用易变形且具有良好弹性的材料制成,从而可以在芯片基板发生翘曲的时候使反光片跟随一起变形。
              32.其中,幕布可以是单透膜,光源设置在幕布的背面上,发出的光线可以穿过幕布然后到达反光片,然后反光片将光线反射形成反射光斑,并且使反射光斑照射在幕布上形成可见光斑。
              33.其中,反射光斑的第一状态信息是在对芯片基板上的芯片执行加工操作后,照射在幕布上的反射光斑的状态。
              34.其中,反射光斑的第二状态信息可以通过预先建立标准数据得到,反射光斑的第二状态信息表示在对芯片基板上的芯片进行加工操作前照射在幕布上的状态,即,表示的是芯片基板未发生翘曲的反射光斑的状态。
              35.其中,在对芯片基板上的芯片执行加工操作后,可以自动生成检测指令,在获取了检测指令后,对芯片基板上的反光片进行照射,使反光片产生的反射光斑照射在幕布上。
              36.具体地,反光片的反光面为平面、凹面或凸面中的任意一种,其中,优选为凹面或凸面,可以随着被挤压或拉伸的程度不同,表现出不同的反射率。
              37.通过上述技术方案,在芯片基板上设置有反光片,利用光源发光照射在芯片基板上的反光片上,使反光片产生反射光斑,通过反射光斑的第一位置信息、第一形状信息以及第一亮度信息可以判断反光片的变形状态和变形程度,进而得到芯片基板的变形状态和变形程度,由此可以判断出芯片基板的翘曲类型和翘曲程度,因此具有检测效率快、检测精度高以及可靠性好的有益效果。
              38.并且,通过反射光斑的第一状态信息和第二状态信息的对比不仅可以高效高精度地检测出芯片基板是否发生翘曲,还可以检测出翘曲的类型和翘曲的程度,而之所以更进一步得到芯片基板的翘曲类型和翘曲程度是为了得到对芯片的相关加工操作对芯片基板的影响,从而为后续芯片封装工艺的分析和改进提供数据支撑。进一步地,根据芯片基板的翘曲类型和翘曲程度可以在芯片的后续加工中进行位置调整。
              39.具体地,在利用反射光斑的第一形状信息判断芯片基板的翘曲类型和翘曲程度时,如果芯片基板发生外凸型的翘曲,则反光片也会跟着发生外凸变形,此时,反光片的反光面呈外凸状,如果反光片的形状为圆形,则在发生变形后会变成外凸的圆弧面,在未发生变形的情况下,在反光片上形成的反射光斑照射在幕布上会呈圆形,而在发生变形后,在反光片上形成的反射光斑照射在幕布上不再是原来的圆形,其形状会发生拉伸变形,反射光斑的形状会发生往外扩张的变化,并且面积会增大,即,如果照射在幕布上的反射光斑发生了拉伸变形,则表示芯片基板发生了外凸的翘曲类型,由反射光斑的拉伸变形量进一步计算出芯片基板的翘曲程度。
              40.其中,由反射光斑的拉伸变形量进一步计算出芯片基板的翘曲程度可以事先通过具体实验计算得到反射光斑的拉伸变形量与芯片基板的翘曲程度之间的对应关系。
              41.同理,如果照射在幕布上的反射光斑发生收缩变形,则表示芯片基板发生了内凹类型的翘曲,由反射光斑的收缩变形量进一步计算出芯片基板的翘曲程度。
              42.其中,可以通过相机拍摄幕布上的反射光斑,然后通过图像识别算法识别出反射光斑的形状,进而根据第一形状信息判断芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度。
              43.具体地,在利用反射光斑的第一亮度信息和第二亮度信息的对比判断芯片基板的翘曲类型和翘曲程度时,如果芯片基板发生外凸型的翘曲,则反光片也会跟着发生外凸变形,此时,反光片的反光面呈外凸状,如果反光片的形状为圆形,则在发生变形后会变成外凸的圆弧面,在未发生变形的情况下,在反光片上形成的反射光斑照射在幕布上会呈圆形,而在发生变形后,由于圆弧面会使反射光斑分散,因此照射在幕布上的反射光光斑的亮度会下降,即,如果照射在幕布上的反射光斑的亮度下降了,则表示芯片基板发生了外凸的翘曲类型,由反射光斑的亮度变化的差值进一步计算出芯片基板的翘曲程度。
              44.其中,由反射光斑的亮度变化的差值进一步计算出芯片基板的翘曲程度可以在事
              先通过具体实验计算得到反射光斑的亮度变化的差值与芯片基板的翘曲程度的对应关系。
              45.同理,如果照射在幕布上的反射光斑的亮度提高了,则表示芯片基板发生了内凹类型的翘曲,由反射光斑的亮度变化的差值进一步计算出芯片基板的翘曲程度。
              46.其中,可以通过相机拍摄幕布上的反射光斑,然后对拍摄的图像进行灰度处理得到灰度图,计算灰度图中反射光斑的灰度值,进而得到反射光斑的亮度,从而根据第一亮度信息和第二亮度信息判断芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度。
              47.进一步地,在其中一些实施例中,每次对芯片执行相关的加工操作后,都进行一次芯片基板的翘曲检测,防止在下一个工序中,对处于移位后的芯片进行加工导致的批量芯片报废。
              48.进一步地,在其中一些实施例中,根据反射光斑的第一状态信息判断芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度的步骤包括:根据第一位置信息与第二位置信息计算反射光斑的位置偏移量;根据反射光斑的位置偏移量判断芯片基板的翘曲类型和翘曲程度。
              49.通过上述技术方案,利用反射光斑的第一位置信息和第二位置信息判断芯片基板的翘曲类型和翘曲程度,由于芯片基板在发生翘曲时,还会使反光片的反光面的角度发生变化,因此,照射在幕布上的反射光斑的位置会发生变化,而通过反射光斑在幕布上位置的变化就可以判断出芯片基板的翘曲类型和翘曲程度。
              50.具体地,可以根据芯片基板各边缘位置的反光片所形成的反射光斑的位置偏移量来判断芯片基板的翘曲类型和翘曲程度。
              51.例如,芯片基板的左右两侧分别设置有反光片,如果芯片基板的中间位置发生外凸类型的翘曲,则位于左侧的反光片会发生逆时针的转动,右侧的反光片会发生顺时针的转动,即,左侧的反光片形成的反射光斑会往左偏移,右侧的反光片形成的反射光斑会往右偏移,同理,如果芯片基板的中间位置发生内凹类型的翘曲,则位于左侧的反光片会发生顺时针转动,位于右侧的反光片会发生逆时针转动,即,左侧的反光片形成的反射光斑会往右偏移,右侧的反光片形成的反射光斑会往左偏移,因此,根据反射光斑的偏移方向可以判断芯片基板的翘曲类型,进一步根据反射光斑的偏移量可以计算出芯片基板的翘曲程度。
              52.具体的,根据反射光斑的偏移量可以计算出芯片基板的翘曲程度可以事先通过具体实验计算出反射光斑的偏移量与芯片基板的翘曲程度的对应关系。
              53.进一步地,在其中一些实施例中,根据反射光斑的第一状态信息判断芯片基板的翘曲类型和翘曲程度的步骤包括:根据第一位置信息获取幕布上被反射光斑照射位置的第一温度信息;根据第二位置信息获取幕布上被反射光斑照射位置的第二温度信息;根据温度信息判断芯片基板的翘曲类型和翘曲程度。
              54.通过上述技术方案,利用反射光斑的第一位置信息和第二位置信息确定照射在幕布上的温度来判断芯片基板的翘曲类型和翘曲程度,由于芯片基板在发生翘曲时,会带动反光片发生变形,反光片在发生变形时,反光片上的反射面也会发生变形,进而使反射光斑发生外扩或收缩,而反射光斑的外扩和收缩会导致其照射在幕布上的单位面积上的能量发生变化,进而导致温度出现差异,因此,可以根据温度的差异判断芯片基板的翘曲类型和翘曲程度。
              55.具体地,当芯片基板发生外凸类型的翘曲时,照射在幕布上的反射光斑会出现外扩,导致单位面积受到的光能减小,进而使温度降低,即,当检测到照射在幕布上被反射光斑照射位置的温度降低时,可以判断芯片基板发生了外凸类型的翘曲,同理,当温度升高时,可以判断芯片基板发生了内凹类型的翘曲,进一步地,可以根据温度的变化量计算出芯片基板的翘曲程度。
              56.具体的,根据温度的变化量计算出芯片基板的翘曲程度可以事先通过具体实验计算得到温度的变化量与芯片基板的翘曲程度之间的对应关系。
              57.进一步地,在其中一些实施例中,芯片基板翘曲检测指令包含有对芯片基板上的芯片执行操作的第三位置信息,在对芯片基板上的芯片执行操作后,获取芯片基板翘曲检测指令。
              58.其中,在对芯片基板上的芯片进行加工时,可以同时对芯片基板上所有的芯片同时进行加工,也可以对芯片基板上的芯片逐一进行加工,同时对芯片基板上的所有芯片进行加工可以有较高的加工效率,但是,一旦出现位置误差,则很容易使所有芯片全部报废,因此,在需要保证较低废品率的时候,可以每次对一块进行加工,在每次加工后都进行一次检测,从而确保不会出现大批量的芯片报废。
              59.因此,在一些实施例中,对芯片基板上的芯片进行相关的加工操作后,通过反射光斑的第一状态信息和第二状态信息检测芯片基板的翘曲程度和翘曲类型,即,在对一块芯片进行相关操作后,获取执行相关加工操作的芯片的第三位置信息,第三位置信息可以包含在检测指令中,在根据检测指令进行检测芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度时,可以根据第三位置信息进行检测,防止芯片基板发生翘曲后仍然对芯片基板上的芯片进行加工,避免后续的加工操作导致芯片报废。
              60.具体地,可以根据第三位置信息对芯片基板上特定的反光片进行照射,使特定的反光片产生反射光斑照射在幕布上。
              61.通过上述技术方案,根据第三位置信息对特定的反光片进行照射,然后根据反射光斑的第一状态信息和第二状态信息判断芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度,这样可以减少数据处理量,提高判断效率。
              62.例如,芯片基板上的芯片呈矩形阵列分布,反光片则设置在每一块芯片的顶角方位,在对一块芯片进行相关操作后,可以根据第三位置信息对该芯片四个顶角位置的反光片进行照射,从而判断芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度。
              63.进一步地,在其中一些实施例中,还包括:在对芯片基板加工操作之前,对芯片基板上的反光片进行照射产生反射光斑并获取反射光斑的第二状态信息。
              64.通过上述技术方案,判断芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度之前,在没有对芯片进行任何操作的时候,对反光片进行照射,从而得到反射光斑的第二状态信息,第二状态信息作为原始数据,在对芯片执行相关操作以后,再对反光片进行照射,得到反光片的第一状态信息,将第一状态信息与第二状态信息进行对比,从而得到在对芯片执行相关操作后,照射在幕布上的反射光斑的位置变化量、形状变化量以及亮度变化量,从而判断芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度。
              65.并且,在每次对芯片基板上的芯片进行加工操作前,都对反光片进行照射以得到
              反射光斑的第二状态信息,相比于事先构建好标准数据而言,能够更准确反映在对芯片基板上的芯片进行加工操作后对芯片基板的影响,可以提高后续判断的准确性。
              66.具体地,第一位置信息与第二位置信息进行对比,判断在芯片执行相关操作后,反射光斑的位移情况,从而判断芯片基板的翘曲类型和翘曲程度。
              67.具体地,第一形状信息与第二形状信息进行对比,判断在芯片执行相关操作后,反射光斑的变形情况,从而判断芯片基板的翘曲类型和翘曲程度。
              68.具体地,第一亮度信息与第二亮度信息进行对比,判断在芯片执行相关操作后,反射光斑的亮度变化情况,从而判断芯片基板的翘曲类型和翘曲程度。
              69.进一步地,在其中一些实施例中,还包括:在获取第一状态信息后,根据第二位置信息获取芯片基板上的芯片进行加工操作之前反射光斑照射在幕布上的位置的状态;根据芯片进行加工操作之前反射光斑照射在幕布上的位置的状态判断芯片基板是否发生翘曲。
              70.通过上述技术方案,在对芯片执行操作前,对反光片进行照射,得到反射光斑的第二状态信息,进而得到芯片进行加工操作之前反射光斑照射在幕布上的位置,具体地,可以对该位置进行标记即得到标记位置,在对芯片执行加工操作后,对反光片进行照射再次形成反射光斑,此时,根据标记位置处的状态即可得知芯片基板是否发生翘曲,如果发生翘曲,则进一步计算出翘曲类型以及翘曲程度,如果没有发生翘曲,则不需要再计算翘曲类型以及翘曲程度,从而提高检测效率。
              71.具体地,根据芯片进行加工操作之前反射光斑照射在幕布上的位置的状态判断芯片基板是否发生翘曲的步骤包括:获取芯片基板上的芯片进行加工操作之前反射光斑照射在幕布上的位置的亮度和/或温度;根据芯片基板上的芯片进行加工操作之前反射光斑照射在幕布上的位置的亮度和/或温度判断芯片基板是否发生翘曲。
              72.如果芯片基板没有发生翘曲,则在芯片操作后对反光片进行照射形成的反射光斑在幕布上的位置应该保持不变,同样的,其亮度以及由于光能给幕布提供的温度也应该保持不变,即,如果标记位置的亮度和/或温度保持不变,则可以判断芯片基板没有发生翘曲,如果标记位置的亮度和/或温度发生了变化,则可以判断芯片基板发生了翘曲。
              73.在判断芯片基板发生了翘曲以后,进一步地根据反射光斑的第一状态信息以及第二状态信息计算出芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度。
              74.本技术提供一种基于反光片的芯片基板翘曲缺陷检测方法,可在芯片的封装生产过程中实现对芯片基板翘曲缺陷的无损检测,通过结合反光片和光学检测图像及特征识别策略的无损检测思想,通过采用“贴合反光片—照射反光片使反射光斑照射在幕布上—获取幕布上反射光斑的第一状态信息—第一状态信息与第二状态信息进行对比—输出检测结果”的方法,使得在对芯片载板进行翘曲现象检测的过程中,有效地提升了检测效率,极大降低了对人工检验的经验依赖;相比于传统的芯片翘曲缺陷检测方法,该方法不仅有效地提升了对芯片载板表面翘曲缺陷进行检测过程中的效率,而且在可以将反射光斑的图像信息转换为数字信息,在数据处理方面的效率也有了极大的提升,全程可实现自动化,对芯
              片表面损伤很小,且可以对检测数据进行存储为数字信息和图像信息,为改进生产工艺也能够提供有效参考数据。
              75.综上所述,本技术结合光的反射原理、高分辨率光学拍照、图像特征识别及数字化处理思想,提出了一种对芯片载板在生产过程中翘曲缺陷的无损检测高效方法,可以有效提升单批次的芯片翘曲缺陷检测效率,降低检测所需的时间,不会对芯片造成二次损伤,具有很高的实际应用价值。
              76.第二方面,参照图2至图4,本技术还提供一种芯片基板翘曲检测系统,用于检测芯片基板500的翘曲类型以及翘曲程度,芯片基板500上设置有反光片700,该系统包括:光源100,用于发出光线照射反光片700;幕布200,用于接收并显示反光片700在光源100照射下形成的反射光斑800;摄像头300,用于拍摄幕布200上显示的反射光斑800;处理中心400,用于在芯片基板500上的芯片600进行加工操作之后,控制光源100对芯片基板500上的反光片700进行照射,使反光片700产生反射光斑800照射在幕布200上,还用于获取摄像头300拍摄幕布200上显示的反射光斑800的第一图像以及第二图像,并根据第一图像以及第二图像判断芯片基板500的翘曲类型以及翘曲程度。
              77.通过上述技术方案,处理中心400在芯片基板500上的芯片600进行加工操作之后,控制光源100发出光线照射反光片700,反光片700通过反射原理形成反射光斑800,并且反射光斑800照射并显示在幕布200上,然后处理中心400控制摄像头300拍摄幕布200上的反射光斑800,从而通过第一图像得到反射光斑800的第一状态信息,将反射光斑800的第一状态信息与事先通过第二图像得到的第二状态信息进行对比,从而得到芯片基板500的翘曲类型以及翘曲程度。
              78.其中,摄像头300可以采用高分辨率光学工业拍照装置——包括但不限于ccd相机、高分辨率光学相机、工业面阵相机等。
              79.其中,摄像头300优选为广角镜头,可以得到更宽广的视野。
              80.其中,摄像头300还可以是探温摄像头300,可以得到幕布200上反射光斑800位置的温度。
              81.其中,还可额外设置温度检测设备,用来得到幕布200上反射光斑800位置以及标记位置的温度。
              82.其中,反光片700设置在芯片基板500上的待切割位置。
              83.其中,第一图像至少包括反射光斑800的第一位置信息、第一形状信息、第一亮度信息中的任意一种;其中,第二图像至少包括反射光斑800的第二位置信息、第二形状信息、第二亮度信息中的任意一种;进一步地,在其中一些实施例中,还包括:第二位置信息、第二形状信息、第二亮度信息中的任意一种;进一步地,还包括生成???,用于在对芯片基板500上的芯片600执行操作后,生成芯片基板500翘曲检测指令。
              84.通过上述技术方案,利用生成??樽远尚酒?00翘曲检测指令,并且将芯片基板500翘曲检测指令发送给处理中心,使处理中心在芯片基板500上的芯片600执行操
              作后,都会进行检测以判断芯片基板500的翘曲类型以及翘曲程度。
              85.在其它一些优选的实施例中,本技术提供的芯片基板500翘曲检测系统可以执行上述方法中的任何一项步骤。
              86.值得注意的是,上述所描述的对芯片600执行操作指的是对芯片600执行的各种加工操作,例如压膜等。
              87.第三方面,参照图5,本技术还提供一种芯片基板翘曲检测装置,用于检测芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度,芯片基板上设置有反光片,该装置包括:控制???10,用于在芯片基板上的芯片进行加工操作之后,对芯片基板上的反光片进行照射,使反光片产生反射光斑照射在幕布上;第一获取???20,用于获取反射光斑的第一状态信息,第一状态信息至少包括反射光斑的第一位置信息、第一形状信息、第一亮度信息中的任意一种;第二获取???30,用于获取所述芯片基板上的芯片进行加工操作之前,所述反射光斑的第二状态信息,所述第二状态信息至少包括所述反射光斑的第二位置信息、第二形状信息、第二亮度信息中的任意一种;判断???40,用于根据反射光斑的第一状态信息和第二状态信息判断芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度。
              88.通过上述技术方案,在芯片基板上设置有反光片,在对芯片基板上的芯片进行加工操作后,控制???10控制光源发光照射在芯片基板上的反光片上,使反光片产生反射光斑,第一获取???20通过获取反射光斑的第一状态信息,即,第一位置信息、第一形状信息以及第一亮度信息,第二获取???30可以获取反射光斑的第二状态信息,即,第二位置信息、第二形状信息以及第二亮度信息,判断???40根据第一状态信息以及第二状态信息判断反光片的变形状态和变形程度,进而得到芯片基板的变形状态和变形程度,由此可以判断出芯片基板的翘曲类型和翘曲程度,因此具有检测效率快、检测精度高以及可靠性好的有益效果。
              89.在一些优选的实时方式中,本技术所提供的一种芯片基板翘曲检测装置可以执行上述方法中的任意一个步骤。
              90.第四方面,参照图6,本技术还提供一种电子设备,包括处理器1100以及存储器1200,所述存储器1200存储有计算机可读取指令,当计算机可读取指令由处理器1100执行时,运行上述方法中的步骤。
              91.通过上述技术方案,处理器1100和存储器1200通过通信总线和/或其他形式的连接机构(未标出)互连并相互通讯,存储器1200存储有处理器1100可执行的计算机程序,当电子设备运行时,处理器1100执行该计算机程序,以执行时执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法,以实现以下功能:在芯片基板上的芯片进行加工操作之后,对芯片基板上的反光片进行照射,使反光片产生反射光斑照射在幕布上;获取反射光斑的第一状态信息,第一状态信息至少包括反射光斑的第一位置信息、第一形状信息、第一亮度信息中的任意一种;获取芯片基板上的芯片进行加工操作之前,反射光斑的第二状态信息,第二状态信息至少包括反射光斑的第二位置信息、第二形状信息、第二亮度信息种的任意一种;根据反射光斑的第一状态信息和第二状态信息判断芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度。
              92.第五方面,本技术还提供一种存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被处
              理器执行时,运行上述方法中的步骤。
              93.通过上述技术方案,计算机程序被处理器执行时,执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法,以实现以下功能:在芯片基板上的芯片进行加工操作之后,对芯片基板上的反光片进行照射,使反光片产生反射光斑照射在幕布上;获取反射光斑的第一状态信息,第一状态信息至少包括反射光斑的第一位置信息、第一形状信息、第一亮度信息中的任意一种;获取芯片基板上的芯片进行加工操作之前,反射光斑的第二状态信息,第二状态信息至少包括反射光斑的第二位置信息、第二形状信息、第二亮度信息种的任意一种;根据反射光斑的第一状态信息和第二状态信息判断芯片基板的翘曲类型以及翘曲程度。
              94.其中,存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现,如静态随机存取存储器(static random access memory, 简称sram),电可擦除可编程只读存储器(electrically erasable programmable read-only memory, 简称eeprom),可擦除可编程只读存储器(erasable programmable read only memory, 简称eprom),可编程只读存储器(programmable red-only memory, 简称prom),只读存储器(read-only memory, 简称rom),磁存储器,快闪存储器,磁盘或光盘。
              95.在本技术所提供的实施例中,应该理解到,所揭露装置和方法,可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,又例如,多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
              96.另外,作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上??梢愿菔导实男枰≡衿渲械牟糠只蛘呷康ピ词迪直臼凳├桨傅哪康?。
              97.再者,在本技术各个实施例中的各功能??榭梢约稍谝黄鹦纬梢桓龆懒⒌牟糠?,也可以是各个??榈ザ来嬖?,也可以两个或两个以上??榧尚纬梢桓龆懒⒌牟糠?。
              98.以上所述仅为本技术的实施例而已,并不用于限制本技术的?;し段?,对于本领域的技术人员来说,本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的?;し段е?。
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